SMBG11A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
1.5KE18A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 308 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6134A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
RF1489-000,聚合物ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:3-Pin,参数:类型:Polymer; 引脚数量:3; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@HBM KV; 电容值:4200(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
P6KE82CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70.1V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
VPORT0603470MV12,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:INPAQ,封装:0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:38 V; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:12 V; 最大漏电流:15 ...
SMBJ36A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMA5J30CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1.5SMC300A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE68CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流...
SMLJ33CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 56.2 A; 最大反向漏电流...
1N6047, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
SMLJ160CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 11.6 A; 最大反向漏...
PTVS10VP1UP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流...
SA33AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N6470US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 775 A; 最大反向漏电流:...
ICT-10C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA...
SA8.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.7 A; 最大反向漏电流: 10...
1N6169AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电...
1N6289AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流...
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