HSP061-8M16,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-16 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14(Typ) V; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:20@Air Ga...
CDNBS08-SRDA3.3-6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10.9 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contac...
TPSMB43AHE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.1 A; 最大反向漏电流: ...
1N6273AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流...
P6SMB120AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 102V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
TBU-CA025-500-WH,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±2@HBM kV; 最大工作电压:100 V; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:125 ℃; ...
SMCJ40CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏...
SMBJ30CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ28AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 66 A; 最大反向漏电流:...
SMA5J11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCJ8.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ51A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
5KP150CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thr...
SMCJ188AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 188V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ18CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 13.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
NUP1301U,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM kV...
SMBJ9.0CA-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 20 uA;...
SMBJ30A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6356, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 300...
PTVS54VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流...
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