SMBJ40E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ8.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 33.3 A; 最大反向漏电流...
SA7.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向漏电流: 300 u...
SMCJ14CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1.5KE18CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 308 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N6065, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 95V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
P4KE12CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: ...
SMC3K43CAHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 43V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 43.2 A; ...
P4KE47CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流:...
LC04-12.TBT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 12V 600W,品牌:Semtech,封装:SOIC-16,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 2 u...
SMA5J13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1.5SMC68AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流...
P4KE24D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12.2 A; 最大反向漏电流: ...
TPD6E05U06RVZR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:UQFN-14,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Hex; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14(Typ) V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@C...
SMCJ150AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1...
5KP30CAM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ28A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N6125AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流...
1N6461, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 315 A; 最大反向漏电流: 300...
SMCG45CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
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