SMBJ30AE3
SMBJ30AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电...
1N6171AUS
1N6171AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏...
SMBJ40E3
SMBJ40E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流:...
BZW04-13B
BZW04-13B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 85 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...
SMBJ20A-13-F
SMBJ20A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流: 5 ...
P6KE33AE3
P6KE33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 600W,品牌:Microsemi,封装:2Case T-18,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大...
SAC30-E3
SAC30-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMAJ28AE3
SMAJ28AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流:...
P6KE400A-B
P6KE400A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.1 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMCJ5.0A-TR
SMCJ5.0A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 746 A; 最大反向漏电流: 50...
SMCJ5638E3
SMCJ5638E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64 A; 最大反...
B72500D 90A 60
B72500D 90A 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOD-523-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:30 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最...
SMBJ22CA
SMBJ22CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: ...
1SMB22CAT3G
1SMB22CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...
1N6107
1N6107, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
B72500D 160H 60
B72500D 160H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:290 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大...
SMBJ58CA-E3
SMBJ58CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
TPD4E004DRYRG4
TPD4E004DRYRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±12@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流...
RCLAMP0504FATCT
RCLAMP0504FATCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc...
BZG04-160TR
BZG04-160TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 160V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 1.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 276 V; 最大反向关态电压: 160...