SMCG120CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBG18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
CD214C-T48ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 19.4 A...
CG0402MLC-3.3LGA,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0402,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±25(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc kV; 最大工作电压:3.3(Typ)...
1.5SMC33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流:...
SM6T36CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 62 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位...
SMCJ180CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: ...
SA24CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
TPC6.8AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ6064AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏...
SA8.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.7 A; 最大反向漏电流: 10...
P4SMA350AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 300V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0...
SMCJ22CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.2 A; 最大反向漏电流: 5...
SA20CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
P6SMB56CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6160A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流...
1.5KE68CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流...
DF2B7M3SC,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:SC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:13.5(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Di...
1N6464US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流:...
P6KE130A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流: 1...
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