 
								BZG04-8V2TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 8.2V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 20.3 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 14.8 V; 最大反向关态电压:...
 
								TPD2EUSB30ADRTR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
 
								P4KE51AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流...
 
								P4KE100CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85.5V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流...
 
								1N6112US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.9 A; 最大反向漏电流...
 
								1.5KE10CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流:...
 
								1N6050, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
 
								SMLJ48E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流: ...
 
								SMCJ16AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 57.7 A; 最大反向...
 
								SMBJ28CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
 
								1N6301E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 138V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电...
 
								SMPC7.0A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流: 2...
 
								SA5.0AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.3 A; 最大反向漏电流: 60...
 
								1.5KE33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流...
 
								TMPG06-27AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; ...
 
								SMAJ17CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 14.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
 
								SMCG13CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 69.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
 
								SMDA24C-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 24V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
 
								SMAJ6.0CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电流: 160...
 
								SMBJ45CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
产品展示
Product show