SMLJ28CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 66 A; 最大反向漏电流: ...
SM15T33A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 169 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最...
DF2B7M2SL,L3F,ESD静电抑制器,品牌:Toshiba,封装:SL-2,参数:类型:ESD Protection Diode; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Co...
SMB8J15CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N5639A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流...
1.5SMC62CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流: 1...
P6KE33AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
P4KE110CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电流: ...
RCLAMP0524PATCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SMD-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±17@Air Gap/±12@Contact D...
LC22A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42 A; 最大反向漏电流: 10 u...
SMLJ22CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 76.2 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE39CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流...
SA17ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ6037, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 120 A; 最大反向漏电流...
SMDA05C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 5V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 4...
TMPG06-13HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.5V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 21.1 A; 最...
SMCJ160CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ10CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.6 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1...
D1213A-01W-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
产品展示
Product show