 
								SMB10J17AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
 
								SMDA12C-7E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏...
 
								15KPA40CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 229.5 A; 最大反向漏电...
 
								BZW04-58B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏电流...
 
								RCLAMP0504S.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Dis...
 
								SMCJ5662, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏...
 
								SMCJ5638AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67 A; 最大...
 
								SMBG9.0AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 10 uA...
 
								P4KE33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流...
 
								1N6165A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 69.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: ...
 
								SMCJ36AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向...
 
								1.5SMC220A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 185V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流:...
 
								1.5KE75CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流...
 
								SMA6J58CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
 
								SRV05-4.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc ...
 
								SMA5J6.5CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流: 10...
 
								SMCJ6047A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流:...
 
								TPD6E004RSER,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:UQFN-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±12@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流:0...
 
								SMAJ13CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 85 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
 
								TVS505SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 5V 150W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 53.7 A; 最大反向漏电流: 300 uA; 最大钳位电压: 9.3 V; 最大反向关态电...
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