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IRF5210S

IRF5210S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=170W,Id@TC 25C=-40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:D2-Pak
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 170W
  • Id@TC 25C: -40A
  • 品牌:IR
  • 封装:D2-Pak
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

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