IRF7451
IRF7451,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3796-4-TL-E
2SK3796-4-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SMCP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
IRF7201
IRF7201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=30.0mOhms,Id=7.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3105
IRLR3105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=37.0mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7730
IRFS7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2805
IRF2805,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=175A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3510M04-A
NE3510M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:97 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Su...
IRFS4610
IRFS4610,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=73A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5015
IRFH5015,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=31.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7739L1
IRF7739L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.0mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFT46,215
BFT46,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...