IRF7402
IRF7402,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3808S
IRF3808S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8748
IRLB8748,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=92A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6665
IRF6665,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF256B
BF256B,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
NE3503M04-T2-A
NE3503M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式...
IRF540ZL
IRF540ZL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.5mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7749L1
IRF7749L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML0060
IRLML0060,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=92.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4137
IRFB4137,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=300V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=69.0mOhms,Id=38A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8337
IRFHM8337,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2804L
IRF2804L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J111_D26Z
J111_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
IRLU3110Z
IRLU3110Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=14mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR120N
IRFR120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=210.0mOhms,Id=9.1A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112_D27Z
J112_D27Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB4229
IRFB4229,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=46.0mOhms,Id=46A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2804S-7P
IRF2804S-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=320A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ44N
IRFIZ44N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.0mOhms,Id=28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7084
IRFH7084,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=265A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562