BF512,215
BF512,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致...
2SK2145-Y(TE85L,F)
2SK2145-Y(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-25-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:10 V; 最大连续漏极电流:14 mA; 最大门源电压:-1.5 V; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ...
MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFSL3306
IRFSL3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5110
IRFH5110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3207Z
IRFB3207Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3103S
IRL3103S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=64A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4010-7P
IRFS4010-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF256-4-TL-H
TF256-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFH4201
IRFH4201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=326A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3007
IRF3007,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.6mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7665S2
IRF7665S2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,Id=14.4A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5106
IRFH5106,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7546
IRFB7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=53A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4137
IRFP4137,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=300V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=69.0mOhms,Id=38A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ46NL
IRFZ46NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3610S
IRF3610S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.6mOhms,Id=103A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL540N
IRL540N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5206
IRFH5206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.7mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU7746
IRFU7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562