IRFP3006
IRFP3006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4227
IRFB4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF256TH-5-TL-H
TF256TH-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:VTFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7201
IRF7201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=30.0mOhms,Id=7.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL2910S
IRL2910S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6641
IRF6641,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4393
MMBF4393,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFH4213
IRFH4213,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.35mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4310
IRFB4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6633
IRF6633,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MP封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM4226
IRFHM4226,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4615
IRFS4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1018ESL
IRF1018ESL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFL4105
IRFL4105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF262TH-4-TL-H
TF262TH-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-623-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFSL7730
IRFSL7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLZ44N
IRLZ44N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IJW120R070T1FKSA1
IJW120R070T1FKSA1,场效应晶体管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:1200 V; 最大连续漏极电流:0.035 mA; 最大门源电压:2 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价...
IRLU3705Z
IRLU3705Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR6225
IRLR6225,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562