IRL6297SD
IRL6297SD,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SA封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=4.9mOhms,Rth(JA)=72C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3575D
IRF3575D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.35mOhms,Rth(JA)=19.1C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3546M
IRF3546M,60A双集成电源模块,由IR原厂生产,PQFN 6 x 8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=18.4C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4253D
IRFH4253D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 H封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=1.45mOhms,Rth(JA)=38 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4251D
IRFH4251D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 H封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=1.1mOhms,Rth(JA)=35 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7504
IRF7504,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=270mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9389
IRF9389,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=40.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=103.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=27.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=...
IRF6802SD
IRF6802SD,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SA封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=5.9mOhms,Rth(JA)=72C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8363
IRFHM8363,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=20.4mOhms,Rth(JA)=47C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM792
IRFHM792,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=100V,VGs Max=20V,Rth(JA)=55C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL6372
IRL6372,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=17.9mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9358
IRF9358,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=23.8mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6376
IRLHS6376,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHS9351
IRFHS9351,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=290mOhms,Rth(JA)=90C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9395M
IRF9395M,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MC封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.9mOhms,Rth(JA)=60C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6276
IRLHS6276,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=45mOhms,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9362
IRF9362,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=32mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6723M2D
IRF6723M2D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MA封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.3mOhms,Rth(JA)=56C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7351
IRF7351,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=60V,VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5(JA)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7911
IRFH7911,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 C封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=4.0mOhms,Rth(JA)=37 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562