IRF7342Q,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=170mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7331,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=30mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7380PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=80V,VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7389PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=58.0mOh...
IRF8313,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.6mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7904,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=13.0mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7911,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 C封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=4.0mOhms,Rth(JA)=37 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9956,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7530,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=30mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=12V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=15mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7313PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=46mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=18.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7506,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=450mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7509PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro-8封装,参数为:VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=175.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=110.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=2...
IRF7301,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=50mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7103Q,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=50V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=50C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7103PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7304,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=90mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9389,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=40.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=103.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=27.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=...
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