注册账号 | 忘记密码
IRL6372,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=17.9mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
24C16C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
24C512C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
74HC374PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
ATF1508AS-10JU84单片机,高性能,可编程逻辑器...
SN74HC595DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
SN74AHC1G14DBVR先进高速CMOS逻辑IC由TI...
CD4051BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂...
SN7406DR带高压输出的六路反相缓冲器/驱动器由TI原厂...
AT24C512B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...