IRLHS6376,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7389,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=5...
IRF6723M2D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MA封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.3mOhms,Rth(JA)=56C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9953,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=400mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7313PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=46mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9362,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=32mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7105,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=160.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=100.0mOhms,RDS(on)10V P-c...
IRF7324PBF-1,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=18mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7501,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=135mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=12V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=15mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7342Q,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=170mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7504,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=270mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7105PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=160.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=100.0mOhms,RDS(on)10...
IRF7103PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7905,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7342,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=170mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7507,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on)4.5V N-ch=140.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=270.0mOhms,RDS(on)2.7V N-ch=200.0mOhms,RDS(on)2.7...
IRFH7911,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 C封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=4.0mOhms,Rth(JA)=37 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=18.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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