BCV27,215
BCV27,215,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:4000@1mA@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱...
BD678AS
BD678AS,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:60...
BCV47
BCV47,贴片达林顿晶体管,由NXP原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=10V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2002AN
ULN2002AN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Through Hole. ...
MPSA14
MPSA14,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZT603TA
FZT603TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:3000@50mA@5V|5000@500mA@5V|3000@1A@5V...
ULQ2004A
ULQ2004A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@5...
MJD122TF
MJD122TF,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA...
FZT690BQTA
FZT690BQTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@2V|400@1A@2V|150@2A@2V|50...
ULQ2003AQDRQ1
ULQ2003AQDRQ1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@100mA|1.5@200mA|1.8@350mA V; 安装方式:Surface Mo...
BDX34CG
BDX34CG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电压:100 V;...
FZT600BTA
FZT600BTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:140 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:5000@50mA@10V|10000@500mA@10V|5000@...
BD682G
BD682G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:100 V...
2SD1223(TE16L1,NQ)
2SD1223(TE16L1,NQ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mold-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V|1000@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电...
TIP102TU
TIP102TU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5...
TIP147T
TIP147T,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3...
BCV27
BCV27,贴片达林顿晶体管,由NXP原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TD62783AFWG(C,ELHA)
TD62783AFWG(C,ELHA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:2@350mA|1.9@225mA|1.8@100mA V; 安装方式:Surface Mount. 库存...
BD678G
BD678G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:60 V; ...
ULQ2003ADG4
ULQ2003ADG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface Moun...