BST50,115
BST50,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
TIP117G
TIP117G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基...
TIP121
TIP121,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@...
TIP112
TIP112,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA...
KSH122ITU
KSH122ITU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:IPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:100@8A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80m...
DS2003TM
DS2003TM,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V; ...
MJD112T4
MJD112T4,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V; 最大集电极...
BU931P
BU931P,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:400 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:300@5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@70mA@7A|1.8@...
MC1413DG
MC1413DG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@2...
DS2003CM/NOPB
DS2003CM/NOPB,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100m...
MJD112-1G
MJD112-1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:IPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
CZT127
CZT127,贴片达林顿晶体管,由CJ原厂生产,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,fr=4MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TD62783APG(O,S,HZN)
TD62783APG(O,S,HZN),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:2@350mA|1.9@225mA|1.8@100mA V; 安装方式:Through Hole. 询报...
ULN2001D1013TR
ULN2001D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250...
TIP112G
TIP112G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基...
2N6034G
2N6034G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@2A@3V|500@500mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3@...
ULN2002AN
ULN2002AN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Through Hole. ...
MJD122TF
MJD122TF,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA...
2SD1509Q
2SD1509Q,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mold-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1mA@1A V; 最大集电极基极电压:80...
TIP122F
TIP122F,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562