TIP127
TIP127,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12...
2N6043G
2N6043G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:100@8A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A V...
PZTA14
PZTA14,贴片达林顿晶体管,由Fairchild原厂生产,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
ZXTP05120HFFTA
ZXTP05120HFFTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:3000@50mA@5V|3000@500mA@5V|3000@1A@5V|2000@2A...
MMBTA64LT3G
MMBTA64LT3G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA...
MPSW45AG
MPSW45AG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25000@200mA@5V|15000@500mA@5V|4000@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5...
ULN2075B
ULN2075B,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1.3@1.25mA@...
MJF6388G
MJF6388G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:100@10A@3V|1000@5A@3V|200@8A@4V|3000@3A@4V; 最大...
2SD1223(TE16L1,NQ)
2SD1223(TE16L1,NQ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mold-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V|1000@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电...
ULN2803AN
ULN2803AN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500...
TD62783AFG(O,S,EL)
TD62783AFG(O,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:2@350mA|1.9@225mA|1.8@100mA V; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
NJVMJD122T4G
NJVMJD122T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A...
MJ11021G
MJ11021G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:250 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:100@15A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@100mA@10A|3.4@150mA@15A V; 最...
MJD122T4
MJD122T4,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16m...
ULN2003ADRE4
ULN2003ADRE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
E-ULN2003D1013TR
E-ULN2003D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@2...
TIP122
TIP122,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCV26
BCV26,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:4000@1A@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和...
NJVMJD117T4G
NJVMJD117T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2...
BCV27E6327HTSA1
BCV27E6327HTSA1,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:4000@0.1mA@1V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V...