2SD1805F-TL-E
2SD1805F-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
DTC124EUAT106
DTC124EUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
FMMT458TA
FMMT458TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.225 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大工作频率:50(Min)...
MJF3055G
MJF3055G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:90 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@...
FZT1151ATA
FZT1151ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V|250@500mA@2V|180@2A@2V|100@3A@2V; 最大工作频率:145...
2SA1012
2SA1012,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=60+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA2056(TE85L,F)
2SA2056(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TSM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@0.3A@2V|100@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.033A@1A V; ...
DXT651-13
DXT651-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:200(Typ)...
MMBTA05LT3G
MMBTA05LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
2SC4132T100P
2SC4132T100P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:82@0.1A@5V; 最大工作频率:80(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.1A@1A V;...
BSR12,215
BSR12,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:30@1mA@1V|30@10mA@1V|30@50mA@1V|20@100mA@1V; 最大工作频率:1500(...
2SA1179
2SA1179,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=55V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTB1366
KTB1366,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=9+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP132
TIP132,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:500@1A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@...
2SD886
2SD886,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR129WH6327XTSA1
BCR129WH6327XTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfa...
TIP122
TIP122,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA123TET1G
DTA123TET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BD678A
BD678A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电...