KSC5502DTM
KSC5502DTM,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:15@200mA@1V|4@1A@1V; 最大工作频率:11(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
2PB710ARL,235
2PB710ARL,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:40@0.5A@10V|120@0.15A@10V; 最大工作频率:120(Min) MHz; 最大集电极...
BD437
BD437,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:85@500mA@1V|30@10mA@5V|40@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz...
UMA3NTR
UMA3NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
2SC2383
2SC2383,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=20MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC80716E6327
BC80716E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电...
2SC5344
2SC5344,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ISL73096RHF/PROTO
ISL73096RHF/PROTO,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:CFPAK-16,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:16; 最小DC直流电流增益:130(Typ)@NPN|60(Typ)@PNP; 最大工作频率:8000(Typ)@NPN|5500(Typ)@PNP MHz; 工作温度:-55 to...
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.06 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@1mA@...
JANTX2N2219A
JANTX2N2219A,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500m...
KSC2328A
KSC2328A,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX5116H6327XTSA1
BCX5116H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压...
ZTX705STZ
ZTX705STZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:3000@10mA@5V|3000@100mA@5V|3000@1A@5V|2000@2A@5V; 最...
DDTB133HC-7-F
DDTB133HC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
SBC848BLT1G
SBC848BLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...
DCX68-25-13
DCX68-25-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|60@1A@1V|160@500mA@1V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最...
2SC2236
2SC2236,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD434
BD434,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=22V,BVceo=22V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NJW44H11G
NJW44H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-3P-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:100@2A@2V|80@4A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1@400mA@8A V; 工作温度:-65 to 150...
BC846BS,135
BC846BS,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10...