SMBT35200MT1G
SMBT35200MT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@1A@1.5V|100@1.5A@1.5V|100@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@0.008...
MJE3439G
MJE3439G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:30@2mA@10V|15@20mA@10V; 最大工作频率:15(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5...
BD239A-S
BD239A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.2A@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.2A@1A V; 工作温度:-65 t...
BC859BW,115
BC859BW,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
BD442
BD442,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=475,Vce(sat)=0.8V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SDTC114YET1G
SDTC114YET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
STP03D200
STP03D200,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:1200 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:230@20mA@10V|200@30mA@10V; 最大集电极发射极饱...
BSS64,215
BSS64,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:60(Typ)@1mA@1V|20@10mA@1V|55(Typ)@20mA@1V; 最大工作频率:100(Typ...
PBSM5240PF,115
PBSM5240PF,115,PNP晶体管带有N沟道沟槽MOSFET,品牌:NXP,封装:HUSON-6 EP,参数:分类:PNP Transistor with N-Channel Trench MOSFET; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:PBSM5240PF; 安装方式:Surf...
NSVMMBT6517LT1G
NSVMMBT6517LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350(Min) V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@1mA@10V|30@10mA@10V|30@30mA@10V|20@50mA@10V|1...
PUMD2,125
PUMD2,125,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BCX6816H6327XTSA1
BCX6816H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|100@500mA@1V|60@1A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0...
BC846BS,115
BC846BS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10...
2SA2126-TL-E
2SA2126-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.27@50mA@1A|0.52@100mA@2A V; 最大集电极基极电压:50 V; 最大功率耗散:800 m...
MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V@NPN|70@1mA@1V@NPN|100@10mA@1V@NPN|60@50mA...
DXTA42-13
DXTA42-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
MJD32CG
MJD32CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V...
BFS20
BFS20,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=25mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=120,Vce(sat)=0.3V,fr=275MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSH127TM
KSH127TM,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA...
SMBT3904SH6327XTSA1
SMBT3904SH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1...