BD241BFP
BD241BFP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3A V...
NJVMJD340T4G
NJVMJD340T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:300 V;...
ULN2068B
ULN2068B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
DTC143EM3T5G
DTC143EM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
DTD122JKT146
DTD122JKT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:47@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
2N4923G
2N4923G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@50mA@1V|30@500mA@1V|10@1A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
DMB53D0UDW-7
DMB53D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB53D0UDW; ...
ZTX1049ASTZ
ZTX1049ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|300@500mA@2V|300@1A@2V|200@4A@2V|35@20A@2V; ...
TD62084AFNG(O,N)
TD62084AFNG(O,N),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@20...
CPH5901F-TL-E
CPH5901F-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
2SB1205T-TL-E
2SB1205T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@60mA@3A...
BUT11A
BUT11A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.5A@2.5A V; 最大集电极基极电压:1000 V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...
MCH3109-TL-E
MCH3109-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:380(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.23@30mA@1.5...
BCX52-16,115
BCX52-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
BCR142E6327
BCR142E6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
TIP142G
TIP142G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3@40mA@10A...
FMMT6520TA
FMMT6520TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:20@1mA@10V|30@10mA@10V|30@30mA@10V|20@50mA@10V|15@100m...
KSD526YTU
KSD526YTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:120@500mA@5V; 最大工作频率:8(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.3...
BCX70HE6433HTMA1
BCX70HE6433HTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V; 最大工作频率:250(Ty...
KTB1367
KTB1367,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=2V,fr=5+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562