DTC124EKAT146
DTC124EKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
KSD1691
KSD1691,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1300mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=1.2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD434
BD434,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=22V,BVceo=22V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DST3906DJ-7
DST3906DJ-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-963-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA...
BD239C
BD239C,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.2A@1A V; 工作温度:...
PMBT4403,235
PMBT4403,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500m...
2DA1201YQTC
2DA1201YQTC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@5V; 最大工作频率:160(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@50m...
MJD44H11TF
MJD44H11TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0....
KSA992FBTA
KSA992FBTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@6V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1...
PDTA124TMB,315
PDTA124TMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SA1020
2SA1020,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=2000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC143EUA
DTC143EUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=20,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FMB200
FMB200,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SuperSOT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:80@100uA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) ...
BF799E6327HTSA1
BF799E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V|40@20mA@10V; 最大工作频率:1100(Typ) MHz; ...
BUL1203E
BUL1203E,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:550 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|10@10mA@5V|14@0.8A@3V|9@2A@5V; 最大集电极...
BCP54TA
BCP54TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集...
NMLU1210TWG
NMLU1210TWG,功率MOS管,带有全桥整流,品牌:ON,封装:UDFN-8 EP,参数:分类:Power MOSFET with Full Bridge Rectifier; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 125 ℃; 所属系列:NMLU1210; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新...
SMMBT3904LT3G
SMMBT3904LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V...
NSVUMC5NT2G
NSVUMC5NT2G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-353-5,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@5mA@10V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
DDTD142TU-7-F
DDTD142TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...