BSV52
BSV52,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@1V|40@10mA@1V|25@50mA@1V; 最大工作频率:400(Min) MHz; 最大集...
DDTC115GE-7-F
DDTC115GE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
MCH3245-TL-E
MCH3245-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:420(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.26@50mA@1A ...
RN1311,LF
RN1311,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BD136-10
BD136-10,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0.5A V; 最...
BD237
BD237,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC850CMTF
BC850CMTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....
KSC945CGBU
KSC945CGBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@1mA@6V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10...
MMBT589LT1
MMBT589LT1,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:100(Min) MH...
ZTX455STZ
ZTX455STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@15mA...
PBSS4140T,235
PBSS4140T,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V; 最大工作频率:150(Min) MHz;...
BCM856BS,115
BCM856BS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:175(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...
ULQ2003ATPWRQ1
ULQ2003ATPWRQ1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.25mA@0.1A|1.3@0.35mA@0.2A|1.6@0.5mA@0.35...
TIPL760A-S
TIPL760A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:20@0.5A@5V; 最大工作频率:12(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.5A@2.5A...
MUN2131T1G
MUN2131T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
NSVMMBT2907AWT1G
NSVMMBT2907AWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|...
MMUN2141LT1G
MMUN2141LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
ULN2067B
ULN2067B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
ZXTN07012EFFTA
ZXTN07012EFFTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:500@0.1A@2V|400@2A@2V|330@4.5A@2V|140@10A@2V; 最大工作...
2SC2983
2SC2983,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-...