HN1C01F-GR(TE85L,F)
HN1C01F-GR(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@2mA@0.1A V; 最大...
MJE271G
MJE271G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@20mA@3V|1500@120mA@10V; 最大工作频率:6(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:2@0...
BFR181WH6327XTSA1
BFR181WH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:70@5mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:2...
BCR185WH6327XTSA1
BCR185WH6327XTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfac...
2PC4617QM,315
2PC4617QM,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@50mA...
ZXTD2090E6TA
ZXTD2090E6TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|300@100mA@2V|200@500mA@2V|75@1A@2V|20@1.5A@...
ZTX453
ZTX453,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
BF820
BF820,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=50mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC818K40E6327HTSA1
BC818K40E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:170(Typ) MHz...
PMP5501Y,135
PMP5501Y,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:175(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...
DTA124EM
DTA124EM,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=56,Vo(on)=0.3V,R1=22K+欧姆,R2=22K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC858AE6327
BC858AE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0....
BC637RL1G
BC637RL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射...
2SD1767
2SD1767,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
8550SS
8550SS,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N6042G
2N6042G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:100@8A@4V|1000@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@4A|4@80mA@8A ...
NSS20601CF8T1G
NSS20601CF8T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:Chip FET-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|200@1A@2V|200@2A@2V|200@3A@2V;...
PBLS4005D,115
PBLS4005D,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|40@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|1000@PNP mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V@NPN|300@1mA@5V@PN...
LBC846BPDW1T1G
LBC846BPDW1T1G,功率晶体管,品牌:LESHAN(LRC),封装:SC-88-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
2SD1816S-E
2SD1816S-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:140@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.2A@2A V; 最大...