UMT2907AT106
UMT2907AT106,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500...
2SC2060
2SC2060,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HDMI2C1-5DIJ
HDMI2C1-5DIJ,ESD保护和信号放大器,品牌:STMicroelectronics,封装:QFN-16,参数:分类:ESD Protection and Signal Booster; 引脚数目:16; 所属系列:HDMI2C1-5DIJ; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
PBSS305PD,115
PBSS305PD,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:175@500mA@2V|145@1A@2V|55@2A@2V|20@3A@2V; 最大工作频率:110(Typ) ...
DRC3114E0L
DRC3114E0L,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SSSMini3-F2-B-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surfac...
SMUN2114T1G
SMUN2114T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时...
2SA1012
2SA1012,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=60+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CZT31C
CZT31C,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=10,hfe(Max)=100,Vce(sat)=1.2V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR108S H6327
BCR108S H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
3DA5200C
3DA5200C,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1048
2SA1048,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBHV8115Z,115
PBHV8115Z,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@50mA@10V|100@100mA@10V|50@0.5A@10V|10@1A@10V; 最大工作频...
BC639
BC639,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBTA44/HV,215
PMBTA44/HV,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V; 最大工作频率:20(Min...
2STW200
2STW200,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:600@5A@3V|500@10A@3V|300@20A@3V; 最大集电极发射极...
2STA1962
2STA1962,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V|35@7A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射...
ULN2003AD
ULN2003AD,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount....
BC856BLT1G
BC856BLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10m...
QSL9TR
QSL9TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-5,参数:类型:PNP; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@25mA@500mA ...
PBSS4041PX,115
PBSS4041PX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V|180@1A@2V|150@2A@2V|120@4A@2V|80@6A@2V; 最大工...