2SC5343
2SC5343,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PEMD6,115
PEMD6,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
ZTX749
ZTX749,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-226-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1...
DTC115GKAT146
DTC115GKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
PDTC143ZM,315
PDTC143ZM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
KTA1271
KTA1271,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=120MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT5401LT1G
MMBT5401LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射...
FZT1149ATA
FZT1149ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V|250@500mA@2V|195@2A@2V|115@5A@2V; 最大工作频率:135...
KST14MTF
KST14MTF,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0...
2SD2012
2SD2012,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD233
BD233,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=2000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DP0150BDJ-7
DP0150BDJ-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-963-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA...
DDTC124XE-7-F
DDTC124XE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
MPSA42RLRAG
MPSA42RLRAG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大...
MJE170
MJE170,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=7V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=250,Vce(sat)=1.7V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1296
2SA1296,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=20V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STE07DE220
STE07DE220,混合型发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:分类:Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:STE07DE220; 安装方式:Sc...
SMUN5235T1G
SMUN5235T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
DXTA92-13
DXTA92-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
DTA115EM3T5G
DTA115EM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...