BFU530VL
BFU530VL,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.04 A; 最小DC直流电流增益:60@10mA@8V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:450 mW; 安装方式:Surfac...
ZTX951STOA
ZTX951STOA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|75@4A@1V|10@10A@1V; 最大工作频率:120(Typ)...
KSC1008YTA
KSC1008YTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:120@50mA@2V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50m...
2SC4082T106P
2SC4082T106P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:82@10mA@10V; 最大工作频率:1500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@4mA@2...
ULN2066B
ULN2066B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
FJN3314RTA
FJN3314RTA,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. ...
PBSS5230QAZ
PBSS5230QAZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@2V|180@500mA@2V|130@1A@2V|60@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1...
UMG8NTR
UMG8NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及...
MPS751_D26Z
MPS751_D26Z,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:75@50mA@2V|75@500mA@2V|75@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:75(Mi...
BC556BTFR
BC556BTFR,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5m...
PBSS9110X,135
PBSS9110X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@1mA@5V|150@250mA@5V|150@0.5A@5V|125@1A@5V; 最大工作频率:10...
BC856B,215
BC856B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
BC817-40
BC817-40,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
TIPL790A-S
TIPL790A-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:150 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@0.5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@20mA@4A|1.5@30mA@7A|...
BD243C-S
BD243C-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6A V; 工作温度:-65 to...
MMBT4354
MMBT4354,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:25@0.1mA@5V|40@1mA@5V|50@10mA@5V|40@100mA@5V|30@500mA@...
RN2505(TE85L,F)
RN2505(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:SMV-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式...
NSV1C200MZ4T1G
NSV1C200MZ4T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:150@10mA@2V|120@500mA@2V|80@1A@2V|50@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电...
BFU590GX
BFU590GX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@80mA@8V; 最大集电极基极电压:24 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:2000 ...
DMB53D0UDW-7
DMB53D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB53D0UDW; ...