9012S
9012S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=64,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFP720 H6327
BFP720 H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:160@13mA@3V; 最大工作频率:45000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:13 ...
BD676G
BD676G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极基极电压:45 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...
NE68030-T1-R44-A
NE68030-T1-R44-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功...
BFN18E6327
BFN18E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|30@30mA@10V; 最大工作频率:70(Typ) M...
KSD1691
KSD1691,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1300mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=1.2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJD3305H1TM
FJD3305H1TM,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:19@1A@5V|8@2A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@...
KSB811
KSB811,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=110+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA05LT1G
MMBTA05LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
2SA1593T-E
2SA1593T-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@100mA@1A V; ...
BFP640 H6327
BFP640 H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:110@30mA@3V; 最大工作频率:40000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:13 V...
BD244C
BD244C,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6A V; 最大集电极基极...
BC846
BC846,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=80V,BVceo=65V,BVebo=6V,hfe(Min)=110,hfe(Max)=450,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMST4401,115
PMST4401,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500mA@2V...
PDTD123TT,215
PDTD123TT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
LMN200B02-7
LMN200B02-7,PNP晶体管和N-MOSFET，带有栅极与下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Gate Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN...
D882
D882,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC114EUAT106
DTC114EUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
RN1114MFV,L3F
RN1114MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
FJX2907ATF
FJX2907ATF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V...