P6SMB33CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.1 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P4KE250A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 214V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.2 A; 最大反向漏电流...
5KP20AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 154 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ70AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
BZW04-376BRL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 376V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大...
1N6111AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电...
P6KE56A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 5 ...
BZW06-48B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳...
BZW04-6V4B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 35.4 A; 最大反向漏电...
CD214B-T7.0ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 200...
P6SMB13CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMCJ20CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.9 A; 最大反向漏电...
SMA5J28CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMBJ6.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 48.7 A; 最大反向漏...
SM6T150CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
PTVS10-076C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V,品牌:Bourns,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 10000 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 160 V; 最大...
SMCJ9.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.7 A; 最大反向漏电...
SMCJ6.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 122 A; 最大反向...
SMAJ6.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 40.7 A; 最大反向漏...
CM1213A-04MR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:MSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...
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