ESDALC6V1-5T6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UDFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/8@HB...
1N6134AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流:...
SA12CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
LC45, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.7 A; 最大反向漏电流: 10 ...
SM1605, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Uni-Dir 5V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 20 uA; ...
PHP120, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 2...
CD214B-T120CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电流: 5...
SM8S24HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 153 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE43A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电...
TGL41-51A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏...
SMCJ14AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64.7 A; 最大反向...
SMA5J18A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.1 A; 最大反向漏电流: 1 u...
TPI8011N, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Triple Bi-Dir 70V,品牌:ST,封装:SO-8,参数:配置: Triple; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大反向关态电压: 70 V; 最小击穿电压: 80 V...
1SMC22AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
TA6F7.5AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 6.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-221AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.1 A...
1.5SMC16CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 66.7 A; 最大反向漏电流:...
LXES03AAA1-098,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:SMD-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap|±15@Contact Disc kV;...
BZW06-13B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 147 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
LC24A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 10 u...
SMCG51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
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