P6KE180A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流: 1...
TPD4S009DCKRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...
SMCJ33E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.2 A; 最大反向漏...
1.5SMC36CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30.1 A; 最大反向漏电流:...
1SMB24AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
SA20AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMAJ26A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
P4KA9.1AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.9 A; 最大反向漏...
P6SMB540AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 459V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 0.81 A; 最大反向漏电...
P6KE300A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.45 A; 最大反向漏电流: 5...
RF2195-000,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc kV; 最大漏电流:0...
SMBG51AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCJ6058AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向...
RCLAMP0582N.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-12,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:12; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±20@Air Gap/±12@Contact D...
1.5KE350A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 300V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电流...
BZW04-299RL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 299V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N6161, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ54CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 54V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流: 5...
SMBJ100E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电...
P6KE9.1CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.8 A; 最大反向漏电流: ...
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