B72500D 160H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:290 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大...
SMBJ10CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流: 10 uA...
1N6366, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
SMLJ45CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 41.2 A; 最大反向漏电流...
SM1612C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最...
SMM4F33A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 400W,品牌:ST,封装:DO-222AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 0.2 ...
SMCJ6070AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.4 A; 最大反向...
1N6045, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 56.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMBJ78CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 78V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏电流: ...
P6SMB510A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 434V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 0.86 A; 最大反向漏电流: 1...
SMB10J28A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1.5KE24ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向...
CG0402MLU-12G,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0402,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc kV; 最大工作电压:12(Typ) V; ...
LXES2SBAA4-016,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:TSOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电...
SM15T39CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; ...
SMBJ110AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏...
NUP2201MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc/16@HBM...
CM1263-06DE,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:UDFN-12 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:12; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.96(Typ) V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min...
1.5KA10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流...
SMCJ5653, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 55.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.3 A; 最大反...
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