SMB10J12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 50.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1N6055A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流: 5 ...
CD214B-T6.5CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.6 A; 最大反向漏电流: ...
P6SMB27CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 23.1V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
SMBJ22CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 83 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
P4SMA62A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCG22AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.3 A; 最大反向漏电流: 1...
1.5SMC12CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流:...
1N6103US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ70A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
RF2195-000,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc kV; 最大漏电流:0...
SMCJ60CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
P4SMA91CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
PESD12VS2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:35 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D...
SMBJ5.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 62.5 A; 最大反向漏电流:...
P6KE11CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流: 10...
SM8S30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 136 A; 最大反向漏电流...
SMLJ7.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 209.8 A; 最大反向漏...
TGL41-16A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 17.8 A; 最大反向...
SMAJ11CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
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