SMAJ170CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.09 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCJ130CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
MMAD1108/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:...
SMBJ300E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...
SMCJ22CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.2 A; 最大反向漏电流: 5...
1V5KE62A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向漏...
5KP5.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 543 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ200CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...
1N6363, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23 A; 最大反向漏电流: 2 u...
SMA5J6.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流: 5...
SMA5J16A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
PESD3V3S2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D...
TPSMA30AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 1W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1 W; 最大峰值脉冲电流: 9.7 A; 最大反向漏电...
1.5KE51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流...
D5V0X1B2LP-7B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 5.5V,品牌:Diodes,封装:DFN-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 1.5 A; 最大反向漏电流: 0.1 uA; 最大钳位电压:...
LC160A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6065, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 95V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1SMA28AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; 最...
RCLAMP3304P.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:16 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:20@Air Gap/12@Contact Di...
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