SZ1SMB48AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最...
1N6375HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 u...
P6KE13CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.1V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMBG30A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N6112, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.9 A; 最大反向漏电流: 1...
IP4285CZ6-TY,125,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:4.2(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±12@Contact Disc kV; 最...
SMBJ70A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMCJ6040E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 93 A; 最大反向漏电...
SMCJ6043, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ530HE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 477V 300W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大反向漏电流: 1 uA...
BZW06-5V8RL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 298 A; 最大反向漏电流: 1000 ...
SMAJ10E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.6 A; 最大反向漏电流...
SMBJ78CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 78V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 5...
SMBJ48CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMLJ14CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.4 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE56CARL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 1 u...
MAX3208EATE+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:TQFN-16 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SMAJ170A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.09 A; 最大反向漏电流: 1 ...
90KS200CH3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 180V 90KW,品牌:Microsemi,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 90000 W; 最大峰值脉冲电流: 270 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ75CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.5 A; 最大反向漏电流: ...
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