DT1140-04LP-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 5.5V 0.35W,品牌:Diodes,封装:UDFN-10,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 0.35 W; 最大峰值脉冲电流: 6 A; 最大反向漏电流: 0...
SA8.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.7 A; 最大反向漏电流: 10...
SMCJ28CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ40A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 46.4 A; 最大反向漏电...
P6KE7.5CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 600W,品牌:Microsemi,封装:2Case T-18,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53 A; 最大反向漏...
SMBG78A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 78V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMBG36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
RCLAMP0504F.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流...
1SMA43AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; 最...
LXES2TBBB4-028,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Murata,封装:UDFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电压...
TPD4E110DPWR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:X2SON-4,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Con...
5KP70E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 1...
TPD2E001DRLRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
VBUS053CZ-HAF-G-08,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Vishay,封装:LLP-75-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:52 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Con...
SMA5J13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1.5SMC300A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流:...
SMA5J13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBG30CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
CD214C-T150ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 ...
SMCJ5655AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; ...
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