SRDA12-4.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc k...
SA15AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMCJ110CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏...
1.5KE33A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 169 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCJ6054E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 34V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流...
SMBJ9.0A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 10 uA;...
5KP48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 65 A; 最大反向漏电流: 1...
TPD4S010DQAR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 电...
SMBJ36CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1.5KE56CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流...
P4KE33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流:...
1SMB90AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...
P6SMB24AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流: 1...
MAX3208EATE+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:TQFN-16 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SMDA12C-7E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
SMBG16CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6038A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流: 20...
SMBJ45AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMLJ51AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.4 A; 最大反向漏电...
5KP16A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 192 A; 最大反向漏电流:...
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