1N6115US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: ...
P6SMB36CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
TVS518SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 30.5 V; 最大反向关态电...
0402ESDA-MLP8,ESD静电抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:SMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:35(Typ) V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电流:0....
USB50405E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:4SOT-143,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位...
BZG04-39TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 39V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 65.5 V; 最大反向关态电压: 39 V...
SMCJ6052A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流:...
TPD4S014DSQR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc/±2@HBM kV; 最大工作电...
SMA5J15A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMLJ5.0A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 326 A; 最大反向漏电流...
SMBJ70CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
TPSMB20AHE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏电流: ...
TPD2E009DRTR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电...
BZW04-33B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳...
SMA6J22A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 4KW,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4000 W; 最大峰值脉冲电流: 89 A; 最大反向漏电流: 0.2 u...
CD143A-SR2.8,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Di...
SMAJ100AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏...
P6KE43A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.1 A; 最大反向漏电流: ...
SZP6SMB36CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
ESD6100,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:WLCSP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.8(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact...
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