IRFH5110
IRFH5110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：N-channel Power MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：PQFN 5 x 6 B/E
- 描述：N沟道功率MOS管
