BCV48,115
BCV48,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@1mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.1mA@100m...
ULN2003AFWG(O,NEHZ)
ULN2003AFWG(O,NEHZ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1....
TIP115
TIP115,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最...
NJD35N04T4G
NJD35N04T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:2000@2A@2V|300@4A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@20mA@2A V; 最大集电极...
ULN2003AIDG4
ULN2003AIDG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
SBSP52T1G
SBSP52T1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
ULN2004AFWG,N,E
ULN2004AFWG,N,E,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@20...
ZXTN04120HP5TC
ZXTN04120HP5TC,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:PowerDI-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2...
ULN2004ADRE4
ULN2004ADRE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
BDX53B
BDX53B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极基...
TIP112
TIP112,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; ...
TIP115-S
TIP115-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电...
TIPP110-R-S
TIPP110-R-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大...
ULN2003ADRG4
ULN2003ADRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
MJD112
MJD112,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
E-ULN2003A
E-ULN2003A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA...
2SD2142
2SD2142,贴片达林顿晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=300mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=12V,hfe(Min)=5000,Vce(sat)=1.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BU323ZG
BU323ZG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:150@6.5A@1.5V|500@5A@4.6V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@70mA@7A|1.8@...
TIPL790-S
TIPL790-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@0.5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@20mA@4A|1.5@30mA@7A|2...
TD62064AFG(O,S,EL)
TD62064AFG(O,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:HSOP-18,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:800(Typ)@1A@2V|1500(Typ)@1.25A@2V; 最大集电极发射极...