ULN2803ADW
ULN2803ADW,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@50...
ULN2064B
ULN2064B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
2SD2142KT146
2SD2142KT146,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@3V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@...
ULN2004AD
ULN2004AD,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount....
ULN2067B
ULN2067B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
ULQ2003ADG4
ULQ2003ADG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
ULQ2003ATPWRQ1
ULQ2003ATPWRQ1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.25mA@0.1A|1.3@0.35mA@0.2A|1.6@0.5mA@0.35...
BDX34BG
BDX34BG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电压:80 V; 安...
TIP122
TIP122,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N6040G
2N6040G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:100@8A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A V...
ULN2003AID
ULN2003AID,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount...
A2982SLW-T
A2982SLW-T,三极管,达林顿管,品牌:Allegro,封装:SOIC-20 W,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@100mA|1.9@225mA|2@350mA V; 安装方式:Surfac...
MJF122G
MJF122G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@500mA@3V|2000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A...
ZXTN04120HFFTA
ZXTN04120HFFTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23F-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:3000@50mA@5V|3000@500mA@5V|3000@1A@5V|1000@2A...
TIP112
TIP112,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=2.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULQ2003AQDRQ1
ULQ2003AQDRQ1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@100mA|1.5@200mA|1.8@350mA V; 安装方式:Surface Mo...
BU941ZT
BU941ZT,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:300@5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@100mA@8A|1....
TD62064APG(O,J,S)
TD62064APG(O,J,S),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:800(Typ)@1A@2V|1500(Typ)@0.25A@2V; 最大集电极发射极饱...
MJD122
MJD122,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=8000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003ADE4
ULN2003ADE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...