2SD2206(TE6,F,M)
2SD2206(TE6,F,M),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:TO-92 Mod-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1mA@1A V; 最...
CZT127
CZT127,贴片达林顿晶体管,由CJ原厂生产,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,fr=4MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003AIDE4
ULN2003AIDE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
TIP122-S
TIP122-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20...
BD680
BD680,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最...
2N6286G
2N6286G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:100@20A@3V|750@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@40mA@10A|3@200mA@20...
BCX38CSTZ
BCX38CSTZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:5000@100mA@5V|10000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.25@8mA...
MMBTA13
MMBTA13,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=300mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003AFWG(ONEHZA)
ULN2003AFWG(ONEHZA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1....
2SD1853
2SD1853,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Dual Common Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@2mA@1A V; 最大集...
FZT603TA
FZT603TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:3000@50mA@5V|5000@500mA@5V|3000@1A@5V...
TIP127TU
TIP127TU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@3V|1000@500mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3...
ULQ2003ATDRQ1
ULQ2003ATDRQ1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.25mA@0.1A|1.4@0.35mA@0.2A|1.7@0.5mA@0.35A ...
DS2003TMX/NOPB
DS2003TMX/NOPB,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100...
BCV47E6327HTSA1
BCV47E6327HTSA1,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.5A@5V|10000@100mA@5V|4000@10mA@5V|2...
TIP117G
TIP117G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基...
TIP126
TIP126,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD117
MJD117,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
ULQ2003ATDG4Q1
ULQ2003ATDG4Q1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface M...
MJE802
MJE802,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:3@40mA@4A|2.5@30m...