JJM捷捷微电-中压场效应管MosFET现货
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| 型号 | 封装 | 类型 | 沟道 | VDS_Max(V) | ID_Max(A) | 包装 | 兼容替代型号 |
| JMTE3003A | TO-263-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 30 | 150 | 800/盘 | ①IRL7833S ②PSMN3R4-30BL |
| JMSL0315AG | PDFN5x6-8L | 低压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 30 | 44 | 5000/盘 | ①BSC080N03LSGATMA1 ②NTMF4C13N ③AONS32314 ④PSMN9R5-30YLC |
| JMSL0402BG | PDFN5x6-8L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 40 | 130 | 5000/盘 | ①BSC019N04LS ②AOUS66414 ③PSMN2R2-40YSD ④VSP003N04MS-G ⑤MXP4002JGL ⑥SVT042R5NL5 |
| JMSL0606AU | PDFN3x3-8L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 60 | 52 | 5000/盘 | ①BSZ065N06LS5ATMA1 ②AON7262E |
| JMSL0606AGD | PDFN5x6-8L-D | 中压金属氧化场效应晶体管 | N+N沟道 | 60 | 55 | 5000/盘 | NVMFD5C668NL |
| JMSH0804NK | TO-252-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 80 | 112 | 2500/盘 | |
| JMSH1008AC | TO-220-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 100 | 112 | 1000/盘 | ①IPP082N10NF2S ②PSMN7R8-100PSE |
| JMSH1008AE | TO-263-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 100 | 112 | 800/盘 | ①IPB083N10N3G ②NTBS9D0N10MC ③AOB66920L |
| JMSL1004BG | PDFN5x6-8L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 100 | 117 | 5000/盘 | BSC040N10NS5ATMA1 |
| JMSH1004AE | TO-263-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 100 | 190 | 800/盘 | ①IPB033N10N5LF ②FDB035N10A ③AOB66916L ④HY029N10B |
| JMSH1003NE | TO-263-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 100 | 213 | 800/盘 | |
| JMSH1002AS | TO-247-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 100 | 287 | 450/盒 | ①IRF100P219AKMA1 ②AOK66914 |
| JMSH1207AE | TO-263-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 120 | 112 | 800/盘 | |
| JMSH1504AS | TO-247-3L | 中压金属氧化场效应晶体管 | N沟道 | 150 | 201 | 450/盒 | ①IRFP4568PBF ②AOK66518L |
| JMPL1050AKQ | TO-252-3L | 汽车规级金属氧化场效应晶体管 | P沟道 | -100 | -36 | 2500/盘 |
