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【三星贴片电容(MLCC)】CL31C181JBCNNND
CL31C181JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31C180JBCNNWC
CL31C180JBCNNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL31C180JBCNNND
CL31C180JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10F473ZB8NNND
CL10F473ZB8NNND,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10F334ZO8NNND
CL10F334ZO8NNND,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10F334ZO8NNNC
CL10F334ZO8NNNC,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10F334ZA8NNNC
CL10F334ZA8NNNC,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 nF,电压25 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10F224ZO8NNNC
CL10F224ZO8NNNC,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10B823KO8NNNC
CL10B823KO8NNNC,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值82 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10B822KB8NNNO
CL10B822KB8NNNO,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10B821KB8NNNO
CL10B821KB8NNNO,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值820 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【三星贴片电容(MLCC)】CL10B683KO8NNNC
CL10B683KO8NNNC,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 nF,电压16 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8334PBF-1
IRFH8334PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRLB8314
IRLB8314,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8707PBF-1
IRF8707PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8788PBF-1
IRF8788PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7809AVPBF-1
IRF7809AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8113PBF-1
IRF8113PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7831PBF-1
IRF7831PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF7811AVPBF-1
IRF7811AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562