注册账号 | 忘记密码
CL31C181JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74HC14DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
SN74LVC00ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
MC14094BDTR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON...
SN74LVC1GU04DCKR低功耗CMOS逻辑IC由TI...
74LVC1G126GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生...
SN74HC164PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
89C51AC2-RLTUM单片机,微控制器由ATMEL原厂...
SN74HC04DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
CD4013BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生...