CL31C180JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
74HCT14PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
24C512C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
ATMEGA64A-AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
MC14511BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
74LVC1G04GV低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
24C16C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
SN74HC00DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
AT45DB041D-SU单片机,4M闪存存储器由ATMEL...
74HC573PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...