FFB5551
FFB5551,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SC-70-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发...
30A02MH-TL-H
30A02MH-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V; 最大工作频率:520(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.22@10mA@20...
BST61,115
BST61,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱...
PBSS4350SPN,115
PBSS4350SPN,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SO-8,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2.7 A; 最小DC直流电流增益:300@100mA@2V@NPN|300@500mA@2V@NPN|300@1A@2V@NPN|200@2...
2SB985
2SB985,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC337-25-AP
BC337-25-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极...
BCX5116H6327XTSA1
BCX5116H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压...
2SA1986-O(Q)
2SA1986-O(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...
KSD261CGTA
KSD261CGTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@0.5A V; 最大集电极基极电压:...
SBCW33LT1G
SBCW33LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA V; 最大集电极基极电压:32 V;...
NSBC143EPDP6T5G
NSBC143EPDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
2SB1708TL
2SB1708TL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@30mA@1.5A...
BCM61B,215
BCM61B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45@TR 1 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@100uA@5V|200@2mA@5V@TR 1; 最大工作频率:250(Typ)@TR 1 ...
HFA3046BZ
HFA3046BZ,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-14 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@2V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@...
DZT591C-13
DZT591C-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|15@2A@5V; 最大工作频率:150(Mi...
2PD601AW
2PD601AW,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC5200RTU
2SC5200RTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-264-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:17 A; 最小DC直流电流增益:55@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...
PDTC115ET,215
PDTC115ET,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:20 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
2SD667
2SD667,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT2222A,215
MMBT2222A,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@...