KTC3192,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=50mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZT493TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@250mA@10V|80@500mA@10V|30@1A@10V; 最大工作频率:...
IMT17T110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@500m...
ULN2804APG(O,NM),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1...
STX13004G-AP,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:15@0.5mA@2V|26@400mA@2V|10@1A@5V|6@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电...
MIMD10A-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V@NPN|68@PNP; 工作温度:-55...
MMBTA05,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2118,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=50V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBSS4330PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON3-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|270@1A@2V|230@2A@2V|180@3A@2V; 最大工作频率:210(Ty...
2SA1242,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP126G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20mA@5...
BFP182E7765,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:70@10mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V;...
2DB1188Q-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@3V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.2A@...
TD62084AFG(O,N,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...
MJW1302AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:50@100mA@5V|50@1A@5V|50@3A@5V|50@5A@5V|50@7A@5V|45@8A@5V|12@...
BCR198E7874,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
DCX143TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
2SD1757K,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=15V,BVebo=6.5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
PDTA114ET,235,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
ZXTN25100DFHTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|120@0.5A@2V|40@1A@2V; 最大工作频率:175(Typ) ...
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