BDX34BG
BDX34BG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电压:80 V; 安...
BD239C
BD239C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.2A@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.2A@1A V;...
UMA3NTR
UMA3NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
FZT956TA
FZT956TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|50@2A@5V; 最大工作频率:110(Typ) MHz; 最大集电...
MMBTA14
MMBTA14,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=300mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVUMC3NT1G
NSVUMC3NT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-353-5,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
KSD1692
KSD1692,达林顿晶体管,由Fairchild原厂生产,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=150V,BVceo=100V,BVebo=8V,hfe(Min)=200020000,Vce(sat)=1.2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF517E6327
BF517E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:40@2mA@1V|20@25mA@1V; 最大工作频率:2500(Typ) MHz; 最大集电极发射...
TIP127-S
TIP127-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20...
BFQ19,115
BFQ19,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@70mA@10V; 最大工作频率:5500(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65...
PDTA113ZE,115
PDTA113ZE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BCR533E6327HTSA1
BCR533E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
TIP30-S
TIP30-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@0.2A@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@125mA@1A V; 最大集电极基极电压:...
MJD117
MJD117,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
NCV8450STT3G
NCV8450STT3G,自保护高侧驱动器，具有温度和电流限制,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:分类:Self-Protected High Side Driver with Temperature and Current Limit; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:NCV...
BC847SH6727XTSA1
BC847SH6727XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
BCR148E6359
BCR148E6359,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
2SB649A
2SB649A,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1707TL
2SB1707TL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@40mA@2A V...
BCW67BE6327
BCW67BE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@100uA@10V|120@10mA@1V|160@100mA@1V|60@500mA@2V; 最...