FZT1151ATA
FZT1151ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V|250@500mA@2V|180@2A@2V|100@3A@2V; 最大工作频率:145...
SG2003J/883B
SG2003J/883B,三极管,达林顿管,品牌:Microsemi,封装:CDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|...
BCR108SE6327
BCR108SE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
MJD112RLG
MJD112RLG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
KTA1273
KTA1273,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC1413PG
MC1413PG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@2...
BC857BS,135
BC857BS,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10...
SSM2212RZ
SSM2212RZ,功率晶体管,品牌:ADI,封装:SOIC-8 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA|200@0.01mA; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@...
NJVMJD32CT4G
NJVMJD32CT4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA...
BC557
BC557,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC637G
BC637G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和...
BFG520,215
BFG520,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:60@20mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:...
STC04IE170HP
STC04IE170HP,发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-4,参数:分类:Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:STC04IE170HP; 安装方式:Through ...
PZTA14H6327XTSA1
PZTA14H6327XTSA1,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和...
DTC114TM3T5G
DTC114TM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
BFP720FH6327XTSA1
BFP720FH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:160@13mA@3V; 最大工作频率:45000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:1...
NJVMJD42CRLG
NJVMJD42CRLG,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@600mA@6A V; 最大集电极基极电压:...
BSP43,115
BSP43,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@100uA@5V|100@100mA@5V|50@500mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最...
KTC4379
KTC4379,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
2N4124G
2N4124G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@1V|60@50mA@1V; 最大工作频率:300(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@5m...