KSD1408YTU
KSD1408YTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:120@500mA@5V; 最大工作频率:8(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.3...
2SB1202
2SB1202,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8...
PBSS304NZ,135
PBSS304NZ,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5.2 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|150@4A@2V|80@6A@2V; 最大...
BC847BDW1T1G
BC847BDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...
2SC2703
2SC2703,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3930
2SC3930,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=30mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=220,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CPH6501-TL-E
CPH6501-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.225@15mA@7...
BFU768F,115
BFU768F,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:2.8 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:155@10mA@2V; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:220...
BCP55
BCP55,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA115TE
DTA115TE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=10,Vo(on)=0.3V,R1=100K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP51-16,135
BCP51-16,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...
SMUN5311DW1T1G
SMUN5311DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
ULN2004ADRE4
ULN2004ADRE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
QSZ1TR
QSZ1TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-5,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA@1A ...
SMMUN2233LT1G
SMMUN2233LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
PDTA143XM,315
PDTA143XM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
2SD1816S-TL-H
2SD1816S-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:140@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.2A@2A...
2SC2500
2SC2500,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJE210G
MJE210G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
2N3904-AP
2N3904-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|...